kSA 400 RHEED分析系統，適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統（如：脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統結合新的硬件和軟件，為客戶提供豐富的RHEED分析信息。

kSA 400 RHEED分析系統 超過500個用戶，國內如南京大學、中科院半導體所、電子部11所、中國科技大學、復旦大學、上海技術物理研究所等；

技術參數：

  • CCD系統：高速、高分辨和高靈敏度三種可選
  • 光學系統：RHEED定量分析及成像分析
  • 標準接口法蘭

主要特點：
  • 圖像分析：單一圖像分析（靜態分析）模式，用戶選擇多圖像模式，聚焦模式，掃描模式，錄像模式，交互圖像疊加模式，2D和3D圖像分析；
  • 實時衍射條紋演化監控拍攝；
  • 實時薄膜沉積速率測量；
  • 原位表面診斷分析
  • 軟件分析功能
  • RHEED振蕩追蹤檢測
  • 可擴展：Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,電子槍控制和搖擺曲線掃描；

專業的RHEED分析系統(kSA 400 Analytical RHEED System)，適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統（如：脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統結合新的硬件和功能強大的軟件為客戶提供廣泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系統，適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統（如：脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統結合新的硬件和軟件，為客戶提供豐富的RHEED分析信息。

 實際應用廣泛，歡迎廣大新老客戶咨詢，我們會竭力為您解決問題。期待我們能成為朋友，能為您的科研事業盡到微薄之力，我們倍感榮幸。同時感謝廣大用戶對我們一直的支持。謝謝！